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SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
2.0
8
6
4
2
0
I D = 50 A
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.7
1.4
1.1
0. 8
0.5
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
20
40
60
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.1
0.01
- 0.5
- 1.0
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
0.001
- 1.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
33
32
31
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 1 mA
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
30
29
2 8
27
26
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.10
1
www.vishay.com
4
T J - Temperat u re (°C)
Typical Drain-source Brakdown Voltage
vs. Junction Temperature
t in (s)
Single Pulse Avalanche Current vs. Time
Document Number: 69821
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08
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